AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT7N70是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，专为高效能功率转换应用而设计。其核心优势在于结合了700V的高漏源耐压（Vdss）与7A的连续漏极电流（Id）能力，同时保持了较低的导通电阻（Rds(on)典型值1.8Ω），这有助于显著降低导通状态下的功率损耗。
该器件具备优异的开关性能，其栅极电荷（Qg）低至25nC，有利于实现快速的开关切换并减少驱动损耗，提升系统在高频工作下的效率。宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）和198W的功率耗散能力，确保了其在各种环境条件下的长期运行可靠性，适用于对效率和稳定性有严苛要求的工业级电源解决方案。
基本参数：
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