AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
我们为全球各个行业提供AOS AOT3N100及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。
零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT3N100是AOS推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心参数包括1000V的漏源电压（Vdss）和2.8A（Tc）的连续漏极电流，为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值为6欧姆@1.5A，结合最大20nC的栅极电荷（Qg）和830pF的输入电容（Ciss），确保了较低的导通损耗与快速的开关响应。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，最大功率耗散为132W（Tc），具备良好的热性能和环境适应性。
基本参数：
AOS被热门搜索和购买的相关器件型号
AOS（万代半导体）全球授权代理商现货库存实时更新中，欢迎询价
AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的 MOSFET、IGBT、IPM、TVS、HVIC、SiC/GaN、电源管理IC产品系列
AOS代理商现货库存处理专家 - AOS全系列产品订货 - AOS公司实时全球现货库存查询