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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONS66966是AOS公司推出的一款采用AlphaSGT技术的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（5x6）封装。该器件核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）额定值，以及在10V驱动电压下仅3.6毫欧的极低导通电阻（Rds(on)），这能显著降低导通状态下的功率损耗。
此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为95nC，有利于实现高速开关，降低开关损耗，提升系统整体效率。器件在管壳温度（Tc）下支持高达100A的连续漏极电流和215W的功率耗散，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，使其能够胜任高电流、高可靠性要求的严苛应用环境。
基本参数：
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