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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOD3N50_002 是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252(D-Pak)表面贴装封装。该器件核心优势在于其500V的高漏源电压(Vdss)额定值与2.8A(Tc)的连续漏极电流能力,为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点包括低至3欧姆(@1.5A, 10V)的导通电阻以及仅8nC(@10V)的栅极电荷,这有助于同时降低传导损耗和开关损耗,提升整体能效。器件支持±30V的栅源电压,工作结温范围宽达-50°C至150°C,确保了在多种环境下的稳健操作。

基本参数:
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