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AO3418_101 是一款采用 SOT-23 封装的 N 沟道 MOSFET，由 AOS 公司生产。其核心电气参数定义了器件的能力边界：30V 的漏源电压（Vdss）确保了其在常见低压系统（如 12V 或 24V 总线）中的安全裕度，而在 25°C 环境温度下高达 3.8A 的连续漏极电流（Id）则表明其具备处理可观功率的能力，适用于作为主功率开关或路径管理器件。

该器件的价值在于在微型封装内实现了电流与电压等级的较好结合，为设计工程师在空间和性能之间提供了有效的解决方案。尽管该型号目前已停产，但其参数组合仍代表了此类小型化功率 MOSFET 的典型性能水平，适用于对板卡面积敏感的各种开关与驱动应用。

• 制造商产品型号：AO3418_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V SOT23
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：-
• 技术：-
• 漏源电压（Vdss）：-
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：-
• 器件封装：-
• AO3418_101，AOS产品一站式供应商。