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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO8808A是AOS公司生产的一款双N沟道逻辑电平功率MOSFET阵列,采用8-TSSOP紧凑型封装。其核心优势在于极低的导通电阻与优异的逻辑电平驱动特性,在10V Vgs和8A Id条件下,Rds(on)最大值仅为14毫欧,能显著降低功率损耗。
该器件栅极阈值电压最大为1V,栅极电荷(Qg)低至17.9nC @ 4.5V,确保其可直接由3.3V或5V微控制器高效驱动,实现快速开关。其20V的漏源电压(Vdss)与宽工作结温范围(-55°C ~ 150°C)使其成为低压、高电流密度开关应用的可靠选择,适用于同步整流、电机驱动及负载管理等场景。

基本参数:

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