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零件图片（仅供参考）
AON6754
规格参数

AON6754是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，在10V Vgs下，Rds(on)低至1.8毫欧，Qg最大值为64nC，这显著降低了传导与开关损耗，提升了电源系统的整体效率。

该器件额定漏源电压为30V，在壳温条件下可持续承受高达85A的漏极电流，并集成了体二极管。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）与优化的热性能，确保了在 demanding 应用环境中的可靠性与稳定性，适用于同步整流、电机驱动及各类开关电源拓扑。

  • 制造商产品型号：AON6754
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 52A/85A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：AlphaMOS
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：52A（Ta），85A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.8 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：64nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2796pF @ 15V
  • FET功能：肖特基二极管（体）
  • 功率耗散（最大值）：7.3W（Ta），83W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6754
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 52A/85A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6754的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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