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零件图片（仅供参考）
AO4482
规格参数

AO4482 是 AOS 推出的一款 N 沟道 MOSFET，采用 8-SOIC 封装，专为高能效功率开关应用而设计。其核心优势在于 100V 的漏源电压 (Vdss) 和 6A 的连续漏极电流 (Id) 额定值，结合低至 37 毫欧 (10Vgs) 的导通电阻，显著降低了功率损耗。

该器件具备优异的开关性能，最大栅极电荷 (Qg) 仅为 44nC，便于实现快速开关并降低驱动损耗。其 2.7V 的栅极阈值电压和 4.5V/10V 的标准驱动电压使其能兼容广泛的逻辑电平。这些特性使其成为电源转换、电机驱动和电池管理等应用的理想选择。

  • 制造商产品型号：AO4482
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：37 毫欧 @ 6A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：44nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2000pF @ 50V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-SOIC
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO4482
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO4482的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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