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零件图片(仅供参考)
AO4435L_103
规格参数

AO4435L_103是AOS公司生产的一款P沟道功率MOSFET,采用8-SOIC封装。其核心电气性能表现为30V的漏源电压(Vdss)和10.5A(Ta)的连续漏极电流能力,适用于中功率开关应用。

该器件的关键优势在于其优异的导通特性,在20V Vgs条件下导通电阻(Rds(on))最大值仅为14毫欧,配合24nC(最大值)的低栅极电荷,共同实现了高效率与低损耗的功率开关操作。其宽泛的工作结温范围(-55°C ~ 150°C)确保了在多样化环境条件下的稳定性和可靠性。

  • 制造商产品型号:AO4435L_103
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):10.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V,20V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):14 毫欧 @ 11A,20V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):24nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1400pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-SOIC
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AO4435L_103
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO4435L_103的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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