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AO4812_101是AOS公司生产的一款双N沟道MOSFET阵列，采用8-SOIC封装。该器件集成了两个30V耐压、6A电流能力的N沟道MOSFET，其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、6A Id条件下典型值仅为30毫欧，能显著降低功率损耗。

该芯片具备良好的开关特性，栅极电荷（Qg）最大值为6.3nC，便于实现快速开关，适用于高频开关电源设计。其逻辑电平兼容的栅极驱动（Vgs(th) ≤ 2.4V）简化了驱动电路。宽工作温度范围（-55°C至150°C）和表面贴装形式使其适用于空间受限且要求高可靠性的工业与消费电子应用，如DC-DC转换、电机驱动和负载管理。

• 型号:AO4812_101
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• AO4812_101，AOS产品一站式供应商。