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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7611是AOS公司生产的一款N沟道与P沟道共漏极集成的双MOSFET阵列，采用8-PowerVDFN表面贴装封装。该器件集成了两个逻辑电平门MOSFET，漏源电压（Vdss）均为30V，其中N沟道可支持18.5A连续电流，P沟道支持9A连续电流，为紧凑型设计提供了强大的功率处理能力。
其关键电气参数表现出色，导通电阻（Rds(on)）低至50毫欧，能有效降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，10nC）和输入电容（Ciss，170pF）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升系统效率并支持高频应用。器件可在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，最大功耗为1.5W。
这些特性使AON7611成为负载开关、电源管理、电机驱动和DC-DC转换器等应用的理想选择，尤其适用于空间受限且要求高效率的便携式电子设备。
基本参数：
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