AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6160是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的AlphaSGT技术，封装形式为8-DFN-EP（5x6）。该器件核心优势在于其优异的电气特性平衡，在60V漏源电压（VDSS）规格下，实现了极低的导通电阻（1.58mΩ @ 10V, 20A）与适中的栅极电荷（120nC @ 10V）。
这一特性组合使其能够同时降低传导损耗和开关损耗，显著提升电源系统的转换效率。此外，器件支持高达100A的连续漏极电流和215W的功率耗散，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在高功率密度应用中的可靠性与稳定性。
基本参数：
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