AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6452 是AOS公司基于SDMOS技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。该器件核心优势在于其优异的电气性能平衡，其100V的漏源电压（Vdss）提供了良好的耐压能力，而低至25毫欧（@10V，20A）的导通电阻（Rds(On)）则显著降低了传导损耗。
此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为34nC，结合高达26A（Tc）的连续漏极电流处理能力，使其特别适用于要求高效率和高功率密度的开关电源及电机驱动应用。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境条件下的可靠性与稳定性。
基本参数：
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