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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4468是一款N沟道MOSFET，采用8-SOIC封装，专为30V中低压应用设计。其核心优势在于优异的电气性能平衡：在10V驱动下导通电阻低至14毫欧，有效降低传导损耗；同时，栅极电荷最大值仅为24nC，支持高速开关并减少驱动损耗。
该器件额定连续漏极电流为10.5A，兼容逻辑电平驱动，工作结温范围宽（-55°C至150°C），适用于对效率和可靠性要求较高的功率开关场景，如DC-DC转换和电机控制。
制造商产品型号：AO4468制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：不用於新FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：10.5A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14 毫欧 @ 11.6A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1200pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：8-SOICAO4468，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AO4468
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AO4468的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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