AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON2800是AOS推出的一款采用6-WDFN封装的表面贴装型双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个共漏极连接的逻辑电平门控MOSFET，漏源电压（Vdss）为20V，在25°C下连续漏极电流（Id）可达4.5A。
其核心优势在于优异的导通与开关性能。在4.5V Vgs和4A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至47毫欧，有效降低了功率损耗。同时，其最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为1.2V，栅极电荷（Qg）仅6nC，确保了其能与低压微控制器直接兼容并实现高速开关，适用于高效率的电源转换与功率管理应用。
基本参数：
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