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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOB360A70L是AOS公司推出的aMOS5系列N沟道功率MOSFET,采用TO-263封装。其核心优势在于高达700V的漏源电压(Vdss)和仅为360毫欧的低导通电阻(Rds(on) @ 10V, 6A),这使其在高电压应用中能有效降低传导损耗,提升系统效率。
该器件具备优异的动态特性,最大栅极电荷(Qg)仅为22.5nC,有助于实现快速开关并降低驱动损耗。其连续漏极电流额定值为12A(Tc),最大功耗156W,工作结温范围宽达-55°C至150°C,确保了在高功率密度和严苛热环境下的可靠性与稳定性。

基本参数:
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