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AOB360A70L是AOS公司推出的aMOS5系列N沟道功率MOSFET，采用TO-263封装。其核心优势在于高达700V的漏源电压（Vdss）和仅为360毫欧的低导通电阻（Rds(on) @ 10V, 6A），这使其在高电压应用中能有效降低传导损耗，提升系统效率。

该器件具备优异的动态特性，最大栅极电荷（Qg）仅为22.5nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。其连续漏极电流额定值为12A（Tc），最大功耗156W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在高功率密度和严苛热环境下的可靠性与稳定性。

• 型号:AOB360A70L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 12A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:156W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB360A70L，AOS产品一站式供应商。