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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB4S60L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其aMOS产品系列。该器件采用TO-263（DPak）表面贴装封装，核心卖点在于其600V的高漏源电压（Vdss）与低至900毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，这使其在高压开关应用中能有效降低导通损耗。
该器件在10V栅极驱动下，连续漏极电流（Id）额定值为4A，最大栅极电荷（Qg）仅为6nC，有助于实现快速开关并简化驱动设计。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，功率耗散能力达83W，确保了在工业级功率系统中的高可靠性和稳定性。
基本参数：
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