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零件图片(仅供参考)

规格参数
AOC2401是一款采用4-AlphaDFN微型封装的P沟道功率MOSFET,其核心优势在于优异的能效比。该器件在30V的漏源电压(Vdss)和3A的连续漏极电流(Id)规格下,实现了低至41毫欧(@10V Vgs, 1.5A)的导通电阻,显著降低了导通状态下的功率损耗。
同时,其具备低栅极电荷(Qg最大40nC @10V)和逻辑电平兼容的驱动特性(Vgs(th)最大1.3V),使得它能够被微控制器或低压逻辑电路直接、高效地驱动,从而简化外围电路并提升整体开关性能。这些特性使其成为便携式设备、电源管理和电机控制等应用中,实现高效功率切换和空间节省的理想选择。

基本参数:

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