AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4812是AOS公司生产的一款双N沟道MOSFET阵列，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了两个独立的30V、6A N沟道MOSFET，每个通道在10V Vgs下的导通电阻（Rds(on)）典型值仅为30毫欧，有效降低了导通损耗，提升了系统效率。
其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，确保了与标准逻辑电平的兼容性，便于直接驱动。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大6.3nC）和输入电容（Ciss，最大310pF）特性，使其具备快速的开关速度，适合高频开关应用。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，提供了可靠的性能保障。
基本参数：
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