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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT284L是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装，专为高效能功率转换应用而设计。其核心参数包括80V的漏源电压（Vdss），以及在壳温（Tc）下高达105A的连续漏极电流承载能力，确保了在严苛工况下的稳定运行。
该器件的关键优势在于极低的导通损耗，其在10V Vgs和20A Id条件下的最大导通电阻仅为4.5毫欧。同时，其最大栅极电荷（Qg）为100nC，有助于优化开关性能并降低驱动损耗。结合-55°C至175°C的宽结温工作范围，AOT284L为开关电源、电机驱动和各类功率管理电路提供了高可靠性与高效率的解决方案。
基本参数：
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