AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF10N50FD_001 是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F通孔封装。该器件核心规格为500V漏源电压（Vdss）和10A连续漏极电流（Id），具备在高压环境下处理可观功率的能力。
其关键电气参数针对高效率开关应用进行了优化：最大导通电阻（Rds(on)）低至750毫欧（@10V， 5A），有助于减少导通损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）仅为35nC，有利于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在严苛环境下的稳定运行。
基本参数：
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