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零件图片（仅供参考）
AOD413A
规格参数

AOD413A是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装。该器件设计用于中压、中电流的开关应用，其核心电气参数包括40V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id）。

其关键优势在于优异的导通性能与快速的开关特性。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为44mΩ，有助于最小化传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值21nC）确保了高效的开关速度和较低的驱动损耗。器件支持宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C结温）并提供高达50W（Tc）的功率耗散能力，保证了在 demanding 应用环境下的可靠性与稳健性。

  • 制造商产品型号：AOD413A
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 40V 12A TO252
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：40V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：44 毫欧 @ 12A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：21nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1125pF @ 20V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-252，（D-Pak）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOD413A
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 40V 12A TO252
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD413A的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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