AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4712是AOS公司基于SRFET技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC封装。该器件额定值为30V漏源电压和13A连续漏极电流，核心优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs下最大仅14.5毫欧，能显著降低传导损耗。
此外，其较低的栅极电荷（31nC @10V）有利于实现高效率的快速开关操作。器件集成了体肖特基二极管，工作结温范围宽（-55°C至150°C），适用于要求高效率和紧凑布局的DC-DC转换、电机驱动及负载管理等应用场景。
基本参数：
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