AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON2802是AOS公司生产的一款双N沟道逻辑电平功率MOSFET，采用6-WDFN表面贴装封装。该器件集成了两个独立的MOSFET通道，漏源电压（Vdss）为30V，每通道连续漏极电流（Id）达2A，为紧凑型设计提供了高集成度的功率开关解决方案。
其核心优势在于优异的导通与开关性能。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至60毫欧，有效降低了导通损耗。作为逻辑电平器件，其1.5V的最大栅极阈值电压使其可直接由3.3V或5V逻辑电路驱动。同时，极低的栅极电荷（10nC @10V）和输入电容（245pF @15V）确保了高速开关能力与低驱动损耗，适用于高频应用场景。
基本参数：
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