AOTF12N65A（AOS，晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220F）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

AOTF12N65A是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220F绝缘封装，专为高压开关应用而设计。其核心电气规格包括650V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的耐压和载流基础。

该器件通过优化的内部结构，旨在实现较低的导通电阻和合理的动态参数（如栅极电荷），这有助于降低导通损耗并简化驱动设计，从而提升系统效率。其通孔安装形式和TO-220F封装便于散热管理，适合应用于对可靠性和散热有要求的工业级功率电子设备中。

制造商产品型号：AOTF12N65A

制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）

描述：MOSFET N-CH 650V 12A TO220F

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：*

零件状态：停产

FET类型：-

技术：-

漏源电压（Vdss）：-

25°C时电流-连续漏极(Id)：-

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-

不同Id时Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：-

工作温度：-

安装类型：通孔

器件封装：TO-220F

AOTF12N65A，AOS产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：AOTF12N65A

原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）

技术标准参数：MOSFET N-CH 650V 12A TO220F

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询AOTF12N65A的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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