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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON6400是一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN封装,专为高效率、高密度功率转换应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻(1.4mΩ @ 10V)与栅极电荷(170nC @ 10V),这共同确保了在开关电源和电机驱动等应用中实现最低的传导与开关损耗。
该器件额定电压30V,在管壳温度(Tc)条件下可支持高达85A的连续电流,并具备-55°C至150°C的宽工作结温范围。其紧凑的封装和优异的电气参数使其成为空间受限且对热性能和效率有严苛要求的应用的理想选择。

基本参数:
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