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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6298 是一款采用 8-DFN 封装的 N 沟道 MOSFET，由 AOS 公司生产。其核心电气规格包括 100V 的漏源击穿电压和低至 16.5 毫欧（@10V，20A）的导通电阻，这为功率转换应用提供了高效能的基础。
该器件在壳温下可支持高达 46A 的连续漏极电流，并具备 23nC 的低栅极电荷，有助于降低开关损耗并提升系统工作频率。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）和 78W（Tc）的功率耗散能力，确保了在 demanding 应用环境中的可靠性与鲁棒性。
基本参数：
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