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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO3407是AOS推出的一款P沟道MOSFET，采用SOT-23-3封装，专为高密度、高效率的功率开关应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻（52mΩ @ 10V, 4.1A）与低栅极电荷（11nC @ 10V）的出色结合，这确保了在开关和传导过程中均能实现极低的功率损耗，从而提升整体系统能效。
该器件额定电压为30V，连续电流能力达4.1A，并具备2.4V的低栅极阈值电压，兼容逻辑电平驱动，简化了电路设计。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和紧凑的封装形式，使其成为空间受限且对热管理和可靠性有严苛要求的应用的可靠选择。
制造商产品型号：AO3407制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.1A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：52 毫欧 @ 4.1A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：11nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：520pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SOT-23-3AO3407，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AO3407
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AO3407的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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