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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO3459是一款由AOS制造的P沟道MOSFET，采用SOT-23-3封装，专为高效、紧凑的功率开关应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（最大110mΩ @ 10V, 2.6A）和较低的栅极电荷（最大12nC @ 10V），这共同实现了优异的传导效率与快速的开关性能。
该器件额定电压为30V，连续漏极电流达2.6A，并与标准逻辑电平兼容（Vgs(th) ≤ 2.4V），便于直接驱动。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各种环境条件下的可靠运行，使其成为电池管理、负载开关和DC-DC转换等空间受限应用的理想选择。
制造商产品型号：AO3459制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：停产FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.6A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：110 毫欧 @ 2.6A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：197pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SOT-23-3AO3459，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AO3459
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AO3459的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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