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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF10T60是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262F通孔封装。其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和10A（Tc）的连续漏极电流，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值为700毫欧 @ 5A，有助于降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为35nC @ 10V，输入电容（Ciss）最大值为1346pF @ 100V，这些特性共同促成了较快的开关速度，有利于提升系统整体效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了良好的环境适应性。
基本参数：
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