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AO4407B 是AOS公司推出的一款P沟道功率MOSFET，采用8SOIC封装，专为高效能、高密度设计应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻，在20V栅极驱动、12A电流条件下典型值仅为13毫欧，能显著降低功率损耗和温升。

该器件额定电压30V，连续漏极电流达12A，并具备低至36nC的栅极电荷，支持快速开关操作，有助于提升系统整体效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了在多种环境条件下的稳定性和可靠性，适用于空间受限的便携式设备电源管理及DC-DC转换等场景。

• 型号:AO4407B
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 12A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• AO4407B，AOS产品一站式供应商。