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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO6405是AOS推出的一款P沟道功率MOSFET,采用6-TSOP表面贴装封装。其核心电气参数针对高效电源管理进行了优化,在30V的漏源电压(Vdss)下可支持高达5A的连续漏极电流。
该器件的显著特点是其低导通电阻,在10V Vgs条件下最大仅52毫欧,能有效降低导通损耗。同时,其最大栅极电荷低至18nC,有利于实现快速开关并减少动态损耗。这些特性使其非常适用于空间紧凑、要求高效率的负载开关、电源路径管理和电机驱动等应用场景。

基本参数:
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