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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON7296是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（3x3）紧凑型封装，专为高密度电源设计而优化。其核心优势在于100V的漏源电压额定值下，实现了低至66毫欧（@10V，5A）的导通电阻和仅12nC（@10V）的栅极电荷，这确保了器件在开关应用中兼具低导通损耗与高开关速度。
该器件在壳温（Tc）条件下可支持高达12.5A的连续电流和20.8W的功率耗散，结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，提供了强大的功率处理能力和环境适应性。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换及电机驱动等高效能功率拓扑中的理想选择。
基本参数：
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