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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD514是AOS公司生产的一款N沟道MOSFET，采用TO-252封装，额定漏源电压为30V。其核心优势在于优异的电气性能平衡：在壳温（Tc）条件下可支持高达46A的连续漏极电流，同时实现了低至6.5毫欧（@20A, 10V）的导通电阻，能显著降低导通状态下的功率损耗。
该器件具备快速的开关特性，最大栅极电荷仅为22.5nC，有助于减少开关损耗并提升高频应用下的效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）与高达50W的功率耗散能力，确保了在恶劣环境下的稳定运行。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换和电机控制等高效电源管理应用的理想选择。
制造商产品型号：AOD514制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 17A/46A TO252系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：不用於新FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：17A（Ta），46A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6.5 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22.5nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：951pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252，（D-Pak）AOD514，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOD514
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 17A/46A TO252
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOD514的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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