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AOD514是AOS公司生产的一款N沟道MOSFET，采用TO-252封装，额定漏源电压为30V。其核心优势在于优异的电气性能平衡：在壳温（Tc）条件下可支持高达46A的连续漏极电流，同时实现了低至6.5毫欧（@20A, 10V）的导通电阻，能显著降低导通状态下的功率损耗。

该器件具备快速的开关特性，最大栅极电荷仅为22.5nC，有助于减少开关损耗并提升高频应用下的效率。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）与高达50W的功率耗散能力，确保了在恶劣环境下的稳定运行。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换和电机控制等高效电源管理应用的理想选择。

• 型号:AOD514
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 17A/46A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:951 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD514，AOS产品一站式供应商。