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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOK5N100是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道高压功率MOSFET。该器件采用TO-247封装，核心规格为1000V漏源电压（Vdss）与4A连续漏极电流（Id），专为需要高耐压和中等电流处理能力的应用而设计。
其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V驱动下，其导通电阻（Rds(on)）表现出色，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值23nC）确保了快速的开关瞬态，有利于提升系统工作频率并减少开关损耗。高达195W的功率耗散能力与宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）为其在严苛环境下的稳定运行提供了保障。
基本参数：
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