AO4822_101是一款由AOS制造的双N沟道功率MOSFET阵列，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了两个独立的MOSFET，每个通道具备30V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id）处理能力，其关键优势在于低至19毫欧（@10V Vgs， 8A Id）的导通电阻，能显著降低功率损耗，提升系统整体效率。

其动态参数同样出色，最大栅极电荷（Qg）仅为18nC，输入电容（Ciss）最大为888pF，这确保了快速的开关响应，适合用于高频开关电源和电机驱动电路。器件支持-55°C至150°C的宽结温范围，保证了在各种环境条件下的稳定运行。这款MOSFET阵列为需要高密度、高效率功率开关解决方案的设计提供了高度集成的选择。