AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONR34332C是AOS公司推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装，专为高效率、高密度电源解决方案而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（1.8mΩ @ 10V, 20A）和优化的栅极电荷（105nC @ 10V），这共同确保了在同步整流和开关电源等应用中实现最低的传导与开关损耗。
该器件额定漏源电压为30V，在25°C下可支持高达48A（Ta）/50A（Tc）的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。其低至2.5V的驱动电压（Vgs）使其易于被标准逻辑电路驱动，同时宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）保证了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。
基本参数：
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