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AOY66923是AOS公司AlphaSGT系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用TO-251B封装。该器件基于先进的屏蔽栅沟槽技术，在100V的漏源电压（Vdss）下，提供了高达58A（Tc）的连续漏极电流处理能力，同时保持了极低的导通电阻（典型值11mΩ @ 10V），有效降低了导通损耗。

其关键电气参数针对高效开关应用进行了优化：最大栅极电荷（Qg）仅为35nC，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大2.6V，这确保了快速的开关速度和与标准逻辑电平驱动的兼容性，有利于提升系统频率和效率。结合其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和强大的功率耗散能力（Tc下73W），AOY66923为电源转换、电机驱动等应用提供了一个可靠且高效的功率开关解决方案。

• 型号:AOY66923
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251B
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251B
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.5A（Ta），58A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1725 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），73W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251B
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOY66923，AOS产品一站式供应商。