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AOB409L是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。该器件设计用于高效功率开关，其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss），以及在壳温（Tc）下高达31.5A的连续漏极电流承载能力。

其关键优势在于优异的导通特性，在10V Vgs和20A Id条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为38毫欧，配合最大52nC的栅极电荷（Qg），实现了低导通损耗与快速开关性能的良好结合。这些特性使其成为提升DC-DC转换器、电机驱动及电源管理电路效率的可靠解决方案。

• 型号:AOB409L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 5A/31.5A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta），31.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2953 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），83.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB409L，AOS产品一站式供应商。