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AOI444是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装，专为高效功率开关应用而设计。其核心优势在于60V的漏源电压（Vdss）额定值和优异的导通特性，在10V Vgs和12A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至60毫欧，有效降低了传导损耗。

该器件具备出色的开关性能，最大栅极电荷（Qg）仅为10nC，支持从4.5V到10V的宽范围栅极驱动电压，兼容逻辑电平驱动，便于实现快速开关并降低驱动电路复杂度。其电流处理能力强劲，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流可达12A，最大功耗为20W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在 demanding 应用环境下的稳定性和长寿命。

• 型号:AOI444
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 4A/12A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta），12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI444，AOS产品一站式供应商。