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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON6242是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET,采用8-DFN封装,专为高效率、高功率密度应用而优化。其核心优势在于60V的漏源电压和极低的导通电阻(3.6毫欧 @ 10V, 20A),这显著降低了导通损耗,提升了系统能效。
该器件在25°C时连续漏极电流可达18.5A(Ta),并支持高达85A(Tc)的电流处理能力,结合仅72nC(@10V)的栅极电荷,确保了出色的开关性能和快速响应。其宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C TJ)和83W(Tc)的功率耗散能力,使其能够胜任严苛环境下的高可靠性要求。
综上所述,AON6242凭借其优异的电气与热参数,成为同步整流、电机驱动、DC-DC转换及电池管理等功率应用的理想选择。

基本参数:

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