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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW15S60是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-262通孔封装。其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和15A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于其优异的动态与静态性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下低至290毫欧，有助于降低传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大15.6nC）确保了快速的开关速度，从而有效减少开关损耗，提升系统整体效率。这些特性使其非常适合用于高效的功率转换与电机控制场景。
基本参数：
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