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AO3434是一款采用SOT-23-3L封装的N沟道MOSFET，由AOS制造。其核心电气参数针对高效开关应用进行了优化，在30V的漏源电压（Vdss）和3.5A的连续漏极电流（Id）规格下，提供了优异的导通性能，典型导通电阻（Rds(on)）低至52毫欧（@10V， 4.2A）。

该器件的栅极驱动特性使其易于控制，最大栅极阈值电压为1.8V，兼容标准逻辑电平，同时其极低的栅极电荷（Qg，最大7.2nC @10V）和输入电容确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和1W的功率耗散能力，使其能够适应从消费电子到工业控制的多样化应用环境。

• 型号:AO3434
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.5A SOT23-3L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:52 毫欧 @ 4.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AO3434，AOS产品一站式供应商。