AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOW11S65是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高压N沟道MOSFET，隶属于其aMOS产品系列。该器件采用TO-262封装，核心额定值为650V漏源电压（Vdss）和11A连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为399毫欧，有助于最小化传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值13.2nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态，有利于提升系统效率并降低驱动需求。这些特性使其成为工业电源、PFC电路等高效能转换设计的理想选择。
基本参数：
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