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零件图片（仅供参考）
AO3421E
规格参数

AO3421E是AOS推出的一款P沟道MOSFET，采用SOT-23-3L封装，为空间受限的应用提供了高效的功率开关解决方案。其核心电气参数包括30V的漏源电压和3A的连续漏极电流能力。

该器件的关键优势在于其低导通特性，在10V Vgs驱动下，导通电阻低至95毫欧（@3A），这有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷最大值仅为8nC，确保了快速的开关响应和较低的驱动损耗，适用于需要高效率的开关电源和功率管理电路。

  • 制造商产品型号：AO3421E
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-3L
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：不用於新
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：95 毫欧 @ 3A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：8nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：215pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：SOT-23-3L
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO3421E
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-3L
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AO3421E的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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