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AO3451 是AOS公司推出的一款P沟道MOSFET，采用SOT-23-3封装，在紧凑的尺寸内集成了30V漏源电压（Vdss）和4A连续漏极电流（Id）的额定能力。其核心优势在于极低的导通电阻（50毫欧 @ 4A，10V），这能有效降低功率损耗，提升系统整体效率。

该器件具备优异的开关特性，其低栅极电荷（14nC @ 10V）和兼容逻辑电平的驱动电压（Vgs(th)最大1.3V），使其易于驱动并适合高频开关应用。工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为负载开关、电源管理、电池保护及便携式设备等应用的理想功率开关解决方案。

• 型号:AO3451
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:645 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:3-SMD，SOT-23-3 变式
• AO3451，AOS产品一站式供应商。