AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOC3868是AOS公司生产的一款双N沟道共漏极MOSFET阵列，采用6-XDFN表面贴装封装。该器件集成了两个N沟道MOSFET，核心优势在于其优异的开关特性，能够显著提升电源系统的效率。
其栅极阈值电压最大值低至1.1V，可直接由现代低压微处理器或逻辑电路驱动，简化了系统设计。同时，在4.5V栅源电压下，最大栅极电荷仅为50nC，这确保了极快的开关速度和较低的动态损耗，非常适合高频开关应用。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗2.5W，在紧凑的封装内提供了可靠的性能，适用于高密度PCB设计。
基本参数：
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