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零件图片（仅供参考）
AOTF7N60_002
规格参数

AOTF7N60_002是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，采用标准的TO-220封装。作为一款高压器件，其核心设计旨在提供600V的漏源电压（Vdss）耐受能力，适用于存在高压应力的功率开关电路。

该器件基于成熟的MOSFET技术，具备高输入阻抗和良好的开关特性，有利于简化驱动电路设计并提升系统效率。其TO-220封装确保了良好的功率耗散能力和机械可靠性，便于安装散热器。它主要面向开关电源（SMPS）、工业电机控制及照明驱动等应用，为系统的初级侧功率开关或中等功率负载切换提供了一个经典的解决方案。

  • 制造商产品型号：AOTF7N60_002
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH TO220
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
  • Vgs（最大值）：-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：-
  • 工作温度：-
  • 安装类型：-
  • 器件封装：-
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOTF7N60_002
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH TO220
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF7N60_002的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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