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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO6601L 是 AOS 公司生产的一款采用 6TSOP 封装的表面贴装 MOSFET 阵列，集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道 MOSFET。该器件设计用于 30V 电压系统，其 N 沟道在 10V Vgs、3A 电流下导通电阻低至 60 毫欧，P 沟道在 10V Vgs、2.3A 电流下为 135 毫欧，有效降低了功率损耗。
其低栅极电荷（最大 4.8nC @ 4.5V）和输入电容特性确保了快速的开关速度，有利于提升高频应用的效率。器件支持 -55°C 至 150°C 的宽结温范围，适用于要求高可靠性的环境。这款互补 MOSFET 对主要面向空间受限的电源管理、负载开关和信号路径控制等应用场景。
基本参数：
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