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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4438_101是AOS公司生产的一款N沟道MOSFET,采用8-SO表面贴装封装。其核心电气参数定义了其在功率开关应用中的高性能定位:60V的漏源电压(Vdss)提供了良好的电压裕量,而8.2A的连续漏极电流(Id)能力则确保了其可处理可观的功率流。
该器件的突出优势在于其极低的导通损耗与优秀的开关性能。在10V Vgs条件下,其导通电阻(Rds(on))低至22毫欧(@8.2A),能显著减少导通状态下的功率耗散。同时,仅30nC的低栅极电荷(Qg @4.5V)有助于实现快速开关并降低驱动损耗,提升系统整体效率。其宽泛的工作结温范围(-55°C ~ 150°C)进一步保障了其在各种环境下的稳定运行。

基本参数:

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